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IRF9Z34NPBF中文资料

IRF9Z34NPBF图片

IRF9Z34NPBF外观图

  • 大小：245.09KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET㈢ POWER MOSFET
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：19A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 10A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：620pF @ 25V
  • 功率 - 最大：68W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRF9Z34NPBF

IRF9Z34NPBF供应商

更新时间:2023-01-09 08:30:30
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